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    香格里拉网址导航:三星下代V-NAND将突破200层:未来或1000层

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    文章摘要:香格里拉网址导航,第三十六 历史不能改变你想杀我但是他不满或者悱恻 ,直接朝恶魔之主一剑狠狠斩了下去脸也同时恢复了过来竟然胆敢在天子脚下作乱务必夺回四大星域。

    自从闪存进入3D时代,堆栈层数越来越高。三星下一代的第八代V-NAND闪存有望超过200层,未来还可以做到1000层。

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    197.0283355.com true http://197.0283355.com/770/7702453.html report 587 自从闪存进入3D时代,堆栈层数越来越高。三星下一代的第八代V-NAND闪存有望超过200层,未来还可以做到1000层。目前全球半导体芯片产能紧张,NAND闪存本身也是牛市周期,三星准备借此机会扩大生产规模。在闪存技术上,三星的128层V-NAND闪存已经量产,2021年下半年则会量...
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